传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2006年
7期
40-42
,共3页
蔡描%郭兴龙%刘蕾%陈瑾瑾%赖宗声
蔡描%郭興龍%劉蕾%陳瑾瑾%賴宗聲
채묘%곽흥룡%류뢰%진근근%뢰종성
射频微机械开关%聚酰亚胺%全刻蚀%半刻蚀
射頻微機械開關%聚酰亞胺%全刻蝕%半刻蝕
사빈미궤계개관%취선아알%전각식%반각식
通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高.在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点.测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×105次,0～10GHz的插入损耗在0～0.5dB,隔离度为35～45dB.
通過對傳統的RF MEMS開關採取在信號線上電鍍橋墩、改進橋樑的形狀以及在橋揹麵設計接觸點的新穎方法,使得RF MEMS開關的下拉電壓減小、開關時間縮短和可靠性提高.在工藝上,特彆採用瞭對聚酰亞胺犧牲層進行全刻蝕和半刻蝕的改進加工流程來實現橋揹麵的接觸點.測試結果錶明:開關的下拉電壓為28V,最低開關時間為0.8μs,開關壽命達7×105次,0～10GHz的插入損耗在0～0.5dB,隔離度為35～45dB.
통과대전통적RF MEMS개관채취재신호선상전도교돈、개진교량적형상이급재교배면설계접촉점적신영방법,사득RF MEMS개관적하랍전압감소、개관시간축단화가고성제고.재공예상,특별채용료대취선아알희생층진행전각식화반각식적개진가공류정래실현교배면적접촉점.측시결과표명:개관적하랍전압위28V,최저개관시간위0.8μs,개관수명체7×105차,0～10GHz적삽입손모재0～0.5dB,격리도위35～45dB.
