物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2006年
9期
1147-1150
,共4页
SiO-Au法%硅纳米线(SiNWs)%制备
SiO-Au法%硅納米線(SiNWs)%製備
SiO-Au법%규납미선(SiNWs)%제비
在低真空的CVD系统中直接热蒸发SiO粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅纳米线(SiNWs),通过X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)和Raman光谱等技术对硅纳米线进行形貌及结构分析.实验结果表明,在不同生长温度下制备得到的硅纳米线质量不同,其中在700℃温区生长的硅线质量最好;与晶体硅Raman的一级散射特征峰(TO)520.3cm-1相比,纳米硅线的Raman特征峰(TO)红移至514.8 cm-1.
在低真空的CVD繫統中直接熱蒸髮SiO粉末併以金為催化劑在硅襯底上製備齣大量長達幾十微米的硅納米線(SiNWs),通過X射線衍射譜(XRD)、場髮射掃描電子顯微鏡(FESEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、選區電子衍射儀(SAED)和Raman光譜等技術對硅納米線進行形貌及結構分析.實驗結果錶明,在不同生長溫度下製備得到的硅納米線質量不同,其中在700℃溫區生長的硅線質量最好;與晶體硅Raman的一級散射特徵峰(TO)520.3cm-1相比,納米硅線的Raman特徵峰(TO)紅移至514.8 cm-1.
재저진공적CVD계통중직접열증발SiO분말병이금위최화제재규츤저상제비출대량장체궤십미미적규납미선(SiNWs),통과X사선연사보(XRD)、장발사소묘전자현미경(FESEM)、투사전자현미경(TEM)、선구전자연사의(SAED)화Raman광보등기술대규납미선진행형모급결구분석.실험결과표명,재불동생장온도하제비득도적규납미선질량불동,기중재700℃온구생장적규선질량최호;여정체규Raman적일급산사특정봉(TO)520.3cm-1상비,납미규선적Raman특정봉(TO)홍이지514.8 cm-1.
