光学与光电技术
光學與光電技術
광학여광전기술
OPTICS & OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
77-79
,共3页
王彩凤%李清山%胡波%梁德春
王綵鳳%李清山%鬍波%樑德春
왕채봉%리청산%호파%량덕춘
白光%光致发光%I-V特性曲线%ZnS薄膜%多孔硅
白光%光緻髮光%I-V特性麯線%ZnS薄膜%多孔硅
백광%광치발광%I-V특성곡선%ZnS박막%다공규
用脉冲激光沉积(PLD)的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜,并在室温下研究了ZnS/PS异质结的结构、光学和电学性质.X射线衍射仪(XRD)测量结果表明,制备的ZnS薄膜在28.5°附近有一较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向高度择优取向生长.ZnS/PS复合体系的光致发光谱表明,ZnS的发光与PS的发光叠加在一起,在可见光区形成一个450～700 nm较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.对ZnS/PS异质结I-V特性曲线的测量结果表明,异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性.在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于零.异质结的理想因子的值为77.
用脈遲激光沉積(PLD)的方法在多孔硅襯底上沉積瞭ZnS薄膜,併在室溫下研究瞭ZnS/PS異質結的結構、光學和電學性質.X射線衍射儀(XRD)測量結果錶明,製備的ZnS薄膜在28.5°附近有一較彊的衍射峰,對應于β-ZnS(111)晶嚮,說明薄膜沿該方嚮高度擇優取嚮生長.ZnS/PS複閤體繫的光緻髮光譜錶明,ZnS的髮光與PS的髮光疊加在一起,在可見光區形成一箇450～700 nm較寬的光緻髮光譜帶,呈現較彊的白光髮射.對ZnS/PS異質結I-V特性麯線的測量結果錶明,異質結呈現齣與普通二極管相似的整流特性.在正嚮偏置下,電流密度較大,電壓降較低;在反嚮偏置下,電流密度接近于零.異質結的理想因子的值為77.
용맥충격광침적(PLD)적방법재다공규츤저상침적료ZnS박막,병재실온하연구료ZnS/PS이질결적결구、광학화전학성질.X사선연사의(XRD)측량결과표명,제비적ZnS박막재28.5°부근유일교강적연사봉,대응우β-ZnS(111)정향,설명박막연해방향고도택우취향생장.ZnS/PS복합체계적광치발광보표명,ZnS적발광여PS적발광첩가재일기,재가견광구형성일개450～700 nm교관적광치발광보대,정현교강적백광발사.대ZnS/PS이질결I-V특성곡선적측량결과표명,이질결정현출여보통이겁관상사적정류특성.재정향편치하,전류밀도교대,전압강교저;재반향편치하,전류밀도접근우령.이질결적이상인자적치위77.
