核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2010年
11期
1423-1426
,共4页
韩军%谢彦召%翟爱斌%姚志斌
韓軍%謝彥召%翟愛斌%姚誌斌
한군%사언소%적애빈%요지빈
存储器%电磁脉冲%翻转%脉冲宽度存储容量
存儲器%電磁脈遲%翻轉%脈遲寬度存儲容量
존저기%전자맥충%번전%맥충관도존저용량
实验研究了静态随机存储器(SRAM)的电磁脉冲效应,重点研究存储器容量不同、不同脉冲宽度脉冲场激励以及存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40 kV/m之间.实验结果表明,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数.
實驗研究瞭靜態隨機存儲器(SRAM)的電磁脈遲效應,重點研究存儲器容量不同、不同脈遲寬度脈遲場激勵以及存儲器讀寫狀態與否等情況下的效應規律,實驗場彊在2.5至40 kV/m之間.實驗結果錶明,存儲器處于讀寫狀態即片選有效時其效應更為嚴重,存儲器的翻轉效應與存儲容量大小、激勵電磁脈遲的脈遲寬度關繫不大,電磁脈遲的場彊幅值是其主要的敏感參數.
실험연구료정태수궤존저기(SRAM)적전자맥충효응,중점연구존저기용량불동、불동맥충관도맥충장격려이급존저기독사상태여부등정황하적효응규률,실험장강재2.5지40 kV/m지간.실험결과표명,존저기처우독사상태즉편선유효시기효응경위엄중,존저기적번전효응여존저용량대소、격려전자맥충적맥충관도관계불대,전자맥충적장강폭치시기주요적민감삼수.
