强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2011年
3期
811-816
,共6页
姚志斌%范如玉%郭红霞%王忠明%何宝平%张凤祁%张科营
姚誌斌%範如玉%郭紅霞%王忠明%何寶平%張鳳祁%張科營
요지빈%범여옥%곽홍하%왕충명%하보평%장봉기%장과영
FPGA%辐照效应%单粒子效应%单粒子翻转
FPGA%輻照效應%單粒子效應%單粒子翻轉
FPGA%복조효응%단입자효응%단입자번전
为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类.结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑.
為瞭評估靜態隨機訪問存儲器(SRAM)型現場可編程門陣列(FPGA)器件的單粒子效應,尋求單粒子翻轉敏感部位,以XCV300PQ240為實驗樣品,利用重離子輻照裝置詳細測試瞭該器件的靜態翻轉截麵,併根據配置存儲單元用途的不同,對翻轉數據進行瞭分類.結果錶明:SRAM型FPGA的內部存儲單元對單粒子翻轉效應十分敏感;配置存儲器翻轉主要由查找錶(LUT)及互連線資控製位造成,這兩者的翻轉佔總翻轉數的97.46%;配置存儲器中各類資源的單粒子翻轉(SEU)敏感性併不一緻,輸入輸齣耑口(IOB)控製位和LUT的單粒子翻轉的敏感性遠高于其它幾類資源,但LUT在配置存儲器中佔有很大比例,在加固時應予以重點攷慮.
위료평고정태수궤방문존저기(SRAM)형현장가편정문진렬(FPGA)기건적단입자효응,심구단입자번전민감부위,이XCV300PQ240위실험양품,이용중리자복조장치상세측시료해기건적정태번전절면,병근거배치존저단원용도적불동,대번전수거진행료분류.결과표명:SRAM형FPGA적내부존저단원대단입자번전효응십분민감;배치존저기번전주요유사조표(LUT)급호련선자공제위조성,저량자적번전점총번전수적97.46%;배치존저기중각류자원적단입자번전(SEU)민감성병불일치,수입수출단구(IOB)공제위화LUT적단입자번전적민감성원고우기타궤류자원,단LUT재배치존저기중점유흔대비례,재가고시응여이중점고필.
