固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
421-428,472
,共9页
薛舫时%孔月婵%董逊%周建军%李忠辉%陈辰
薛舫時%孔月嬋%董遜%週建軍%李忠輝%陳辰
설방시%공월선%동손%주건군%리충휘%진신
铝铟氮/氮化镓异质结场效应管%铝铟氮三明治势垒%栅流%电流崩塌%二维异质结构
鋁銦氮/氮化鎵異質結場效應管%鋁銦氮三明治勢壘%柵流%電流崩塌%二維異質結構
려인담/담화가이질결장효응관%려인담삼명치세루%책류%전류붕탑%이유이질결구
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展.从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶.但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈.利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求.可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用.
介紹瞭國際上AlInN勢壘HFET的最新髮展.從器件性能分析中髮現這種新勢壘顯著提高瞭溝道電子氣密度,增大瞭彊場漂移速度,消除應變提高瞭器件可靠性和熱穩定性,能在高溫下有效工作,使GaN HFET研究走上新的檯階.但是薄勢壘引起的大柵流和電流崩塌是阻礙器件性能提高和實際應用的主要瓶頸.利用AlInN/AlGaN異質界麵的大能帶帶階和彊極化電荷來剪裁能帶,設計齣新的三明治勢壘,滿足內、外溝道和歐姆接觸勢壘的要求.可望消除上述瓶頸,使AlInN勢壘GaN HFET付諸實用.
개소료국제상AlInN세루HFET적최신발전.종기건성능분석중발현저충신세루현저제고료구도전자기밀도,증대료강장표이속도,소제응변제고료기건가고성화열은정성,능재고온하유효공작,사GaN HFET연구주상신적태계.단시박세루인기적대책류화전류붕탑시조애기건성능제고화실제응용적주요병경.이용AlInN/AlGaN이질계면적대능대대계화강겁화전하래전재능대,설계출신적삼명치세루,만족내、외구도화구모접촉세루적요구.가망소제상술병경,사AlInN세루GaN HFET부제실용.
