光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2004年
3期
322-325
,共4页
王平%周津慧%杨银堂%屈汉章%杨燕%付俊兴
王平%週津慧%楊銀堂%屈漢章%楊燕%付俊興
왕평%주진혜%양은당%굴한장%양연%부준흥
6H-SiC%多粒子蒙特卡罗研究%各向异性%漂移速度%平均能量%电子碰撞电离率
6H-SiC%多粒子矇特卡囉研究%各嚮異性%漂移速度%平均能量%電子踫撞電離率
6H-SiC%다입자몽특잡라연구%각향이성%표이속도%평균능량%전자팽당전리솔
采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明:温度为296 K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×104 V/cm处偏离线性区,5.0×105 V/cm处达到饱和.由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×107 cm/s,纵向为6.0×106 cm/s,各向异性较为显著.当电场小于1.0×106 V/cm时,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小.另一方面,高场下电子平均能量的各向异性非常明显.电场大于2.0×105 V/cm时,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大.当电场一定时,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大.对非稳态高场输运特性的分析表明:阶跃电场强度为1.0×106 V/cm时,电子横向瞬态速度峰值接近3.0×107 cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.
採用非拋物性能帶模型,對6H-SiC高場電子輸運特性進行瞭多粒子矇特卡囉(Ensemble Monte Carlo)研究.研究錶明:溫度為296 K時,電子橫嚮漂移速度在電場為2.0×104 V/cm處偏離線性區,5.0×105 V/cm處達到飽和.由EMC方法得到的電子橫嚮飽和漂移速度為1.95×107 cm/s,縱嚮為6.0×106 cm/s,各嚮異性較為顯著.噹電場小于1.0×106 V/cm時,踫撞電離效應對高場電子漂移速度影響較小.另一方麵,高場下電子平均能量的各嚮異性非常明顯.電場大于2.0×105 V/cm時,極化光學聲子散射對電子橫嚮能量馳豫時間影響較大.噹電場一定時,c軸方嚮的電子踫撞電離率隨著溫度的上升而增大.對非穩態高場輸運特性的分析錶明:階躍電場彊度為1.0×106 V/cm時,電子橫嚮瞬態速度峰值接近3.0×107 cm/s,反應時間僅為百分之幾皮秒量級.
채용비포물성능대모형,대6H-SiC고장전자수운특성진행료다입자몽특잡라(Ensemble Monte Carlo)연구.연구표명:온도위296 K시,전자횡향표이속도재전장위2.0×104 V/cm처편리선성구,5.0×105 V/cm처체도포화.유EMC방법득도적전자횡향포화표이속도위1.95×107 cm/s,종향위6.0×106 cm/s,각향이성교위현저.당전장소우1.0×106 V/cm시,팽당전리효응대고장전자표이속도영향교소.령일방면,고장하전자평균능량적각향이성비상명현.전장대우2.0×105 V/cm시,겁화광학성자산사대전자횡향능량치예시간영향교대.당전장일정시,c축방향적전자팽당전리솔수착온도적상승이증대.대비은태고장수운특성적분석표명:계약전장강도위1.0×106 V/cm시,전자횡향순태속도봉치접근3.0×107 cm/s,반응시간부위백분지궤피초량급.
