核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2006年
6期
739-741
,共3页
杨建伦%李如荣%徐荣昆%杨高照%钟耀华%李林波%王真
楊建倫%李如榮%徐榮昆%楊高照%鐘耀華%李林波%王真
양건륜%리여영%서영곤%양고조%종요화%리림파%왕진
PIN探测器%γ灵敏度%电子逃逸
PIN探測器%γ靈敏度%電子逃逸
PIN탐측기%γ령민도%전자도일
通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用.数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和灵敏度计算结果;实验研究利用60Co源发射的能量为1.17和1.33MeV的γ射线对不同补偿条件下的γ灵敏度进行标定.结果表明,电子逃逸效应对灵敏度存在显著影响,在探测器前设置铝、聚乙烯等补偿材料可对电子逃逸效应进行适当补偿.
通過數值模擬和實驗研究瞭電子逃逸效應對PIN探測器γ靈敏度的影響及鋁、聚乙烯等不同材料對電子逃逸效應的補償作用.數值模擬研究主要利用MCNP程序對γ射線在PIN探測器靈敏層中的能量沉積進行數值計算,得到探測器輸齣的脈遲幅度譜和靈敏度計算結果;實驗研究利用60Co源髮射的能量為1.17和1.33MeV的γ射線對不同補償條件下的γ靈敏度進行標定.結果錶明,電子逃逸效應對靈敏度存在顯著影響,在探測器前設置鋁、聚乙烯等補償材料可對電子逃逸效應進行適噹補償.
통과수치모의화실험연구료전자도일효응대PIN탐측기γ령민도적영향급려、취을희등불동재료대전자도일효응적보상작용.수치모의연구주요이용MCNP정서대γ사선재PIN탐측기령민층중적능량침적진행수치계산,득도탐측기수출적맥충폭도보화령민도계산결과;실험연구이용60Co원발사적능량위1.17화1.33MeV적γ사선대불동보상조건하적γ령민도진행표정.결과표명,전자도일효응대령민도존재현저영향,재탐측기전설치려、취을희등보상재료가대전자도일효응진행괄당보상.
