人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
1期
38-41
,共4页
周静%李君%魏长松%刘维华%陈文
週靜%李君%魏長鬆%劉維華%陳文
주정%리군%위장송%류유화%진문
电泳沉积%溶胶%PZT%压电膜
電泳沉積%溶膠%PZT%壓電膜
전영침적%용효%PZT%압전막
采用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉末,将此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶胶中,采用溶胶-电泳沉积技术在ITO玻璃衬底上制备PZT厚膜.采用X射线衍射分析、SEM及HP4294A阻抗分析仪等对PZT膜进行了微观结构和介电性能测试,研究了电泳电压、热处理温度及电泳时间对PZT膜结构及膜厚的影响,结果表明,在1V电压下进行电泳,600℃热处理20min,可以得到表面均匀平整的纯钙钛矿结构PZT膜,以(110)择优取向,通过控制电泳时间可有效控制膜的厚度.获得了膜厚为30μm、介电常数达到ε33T/ε0=781、介电损耗为tanδ=0.0083、剩余极化与矫顽电场强度分别为24.6μC/cm2与61.9kV/cm铁电性能较好的PZT膜材料.
採用溶膠-凝膠方法製備Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)納米粉末,將此粉末按一定比例加入到同成分PZT溶膠中,採用溶膠-電泳沉積技術在ITO玻璃襯底上製備PZT厚膜.採用X射線衍射分析、SEM及HP4294A阻抗分析儀等對PZT膜進行瞭微觀結構和介電性能測試,研究瞭電泳電壓、熱處理溫度及電泳時間對PZT膜結構及膜厚的影響,結果錶明,在1V電壓下進行電泳,600℃熱處理20min,可以得到錶麵均勻平整的純鈣鈦礦結構PZT膜,以(110)擇優取嚮,通過控製電泳時間可有效控製膜的厚度.穫得瞭膜厚為30μm、介電常數達到ε33T/ε0=781、介電損耗為tanδ=0.0083、剩餘極化與矯頑電場彊度分彆為24.6μC/cm2與61.9kV/cm鐵電性能較好的PZT膜材料.
채용용효-응효방법제비Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)납미분말,장차분말안일정비례가입도동성분PZT용효중,채용용효-전영침적기술재ITO파리츤저상제비PZT후막.채용X사선연사분석、SEM급HP4294A조항분석의등대PZT막진행료미관결구화개전성능측시,연구료전영전압、열처리온도급전영시간대PZT막결구급막후적영향,결과표명,재1V전압하진행전영,600℃열처리20min,가이득도표면균균평정적순개태광결구PZT막,이(110)택우취향,통과공제전영시간가유효공제막적후도.획득료막후위30μm、개전상수체도ε33T/ε0=781、개전손모위tanδ=0.0083、잉여겁화여교완전장강도분별위24.6μC/cm2여61.9kV/cm철전성능교호적PZT막재료.
