适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取
괄용빈솔체도20GHz적사빈CMOS츤저전조적정학제취
Accurate Parameter Extraction of Substrate Resistance in an RF CMOS Model Valid up to 20GHz
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 4期 737-740 ,共4页

    赵宇航%胡少坚%任铮

    조우항%호소견%임쟁

    RF MOSFET射频%PSP模型%衬底电阻 RF MOSFET射頻%PSP模型%襯底電阻
    RF MOSFET사빈%PSP모형%츤저전조
    通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器件的输出性能,模型精度确保使用频率可以达到20GHz以上.
    통과대CMOS적PSP모형중사츤저전조망락적등효전로진행Y삼수분석,득도츤저전조삼수적완정제취방법.응용해방법제취료90nm CMOS공예중사빈nMOS기건적츤저전조삼수,실험수거화방진비교표명해츤저전조망락화상응적삼수제취방법능정학예측기건적수출성능,모형정도학보사용빈솔가이체도20GHz이상.
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