光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2008年
12期
2777-2780
,共4页
黄尚永%张希清%黄海琴%姚志刚
黃尚永%張希清%黃海琴%姚誌剛
황상영%장희청%황해금%요지강
ZnGa2O4%长余辉%原料配比%烧结温度%发光特性
ZnGa2O4%長餘輝%原料配比%燒結溫度%髮光特性
ZnGa2O4%장여휘%원료배비%소결온도%발광특성
以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4.用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响.ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高.讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga3+替代了部分Zn2+后相对变形八面体中Ga3+的2EA→A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0*后变形八面体中氧空位向其周围的O2-的V0*→O2-跃迁.解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位,从而多余的的Ga3+出现在这些空位上,其2EA到4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合.
以ZnO和Ga2O3為原料,採用高溫固相法,在不同溫度和原料配比下閤成瞭ZnGa2O4.用254 nm的紫外燈照射樣品後,髮現存在餘輝髮光,有505和690 nm兩箇餘輝峰,且餘輝峰相對彊度受原料配比和燒結溫度等製備條件的影響.ZnO不足和溫度較高時505 nm峰相對彊度較高,ZnO過量和溫度較低時690nm峰相對彊度較高.討論瞭餘輝峰的來源,認為505 nm峰來源于結構中Ga3+替代瞭部分Zn2+後相對變形八麵體中Ga3+的2EA→A2能級間躍遷;而690 nm峰起源于晶格中齣現氧空位V0*後變形八麵體中氧空位嚮其週圍的O2-的V0*→O2-躍遷.解釋瞭餘輝峰相對彊度受製備條件影響的原因:溫度較高時ZnO較多揮髮導緻不足,而ZnO不足會使結構中齣現Zn2+空位,從而多餘的的Ga3+齣現在這些空位上,其2EA到4A2能級間躍遷使505 nm髮射佔優;而溫度較低時ZnO揮髮較少,由于ZnO相對Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690nm髮射佔優,這與餘輝峰來源的討論相符閤.
이ZnO화Ga2O3위원료,채용고온고상법,재불동온도화원료배비하합성료ZnGa2O4.용254 nm적자외등조사양품후,발현존재여휘발광,유505화690 nm량개여휘봉,차여휘봉상대강도수원료배비화소결온도등제비조건적영향.ZnO불족화온도교고시505 nm봉상대강도교고,ZnO과량화온도교저시690nm봉상대강도교고.토론료여휘봉적래원,인위505 nm봉래원우결구중Ga3+체대료부분Zn2+후상대변형팔면체중Ga3+적2EA→A2능급간약천;이690 nm봉기원우정격중출현양공위V0*후변형팔면체중양공위향기주위적O2-적V0*→O2-약천.해석료여휘봉상대강도수제비조건영향적원인:온도교고시ZnO교다휘발도치불족,이ZnO불족회사결구중출현Zn2+공위,종이다여적적Ga3+출현재저사공위상,기2EA도4A2능급간약천사505 nm발사점우;이온도교저시ZnO휘발교소,유우ZnO상대Ga2O3양불족,가형성경다적O공위,유리우690nm발사점우,저여여휘봉래원적토론상부합.
