红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2011年
12期
2309-2313
,共5页
魏鹏%朱耀明%邓洪海%唐恒敬%李雪%张永刚%龚海梅
魏鵬%硃耀明%鄧洪海%唐恆敬%李雪%張永剛%龔海梅
위붕%주요명%산홍해%당항경%리설%장영강%공해매
传输线模型(TLM)%p-InP%欧姆接触%比接触电阻%AES
傳輸線模型(TLM)%p-InP%歐姆接觸%比接觸電阻%AES
전수선모형(TLM)%p-InP%구모접촉%비접촉전조%AES
研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5 Wcm2.接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au.利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层；金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善.结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触.
研究瞭電子束蒸髮澱積的非閤金膜繫Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接觸的物理特性,通過450℃、4 min的快速退火,穫得瞭歐姆接觸,其比接觸電阻為7.3×10-5 Wcm2.接觸電極退火後,採用離子濺射法澱積加厚電極Cr/Au.利用俄歇電子能譜(AES)進行深度剖麵分析,錶明Pt層能夠相對有效地阻擋Au和InP的互擴散,但仍會有少部分的Au穿透Pt層進入InP層；金屬與p-InP低阻歐姆接觸的形成由界麵處金屬和InP的化學及其冶金學反應決定,併且少量的In-Au化閤物的形成可能有益于接觸特性的改善.結果錶明,採用閤適的退火條件可以製備齣低阻、錶麵光滑、可靠性高的歐姆接觸.
연구료전자속증발정적적비합금막계Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)접촉적물리특성,통과450℃、4 min적쾌속퇴화,획득료구모접촉,기비접촉전조위7.3×10-5 Wcm2.접촉전겁퇴화후,채용리자천사법정적가후전겁Cr/Au.이용아헐전자능보(AES)진행심도부면분석,표명Pt층능구상대유효지조당Au화InP적호확산,단잉회유소부분적Au천투Pt층진입InP층；금속여p-InP저조구모접촉적형성유계면처금속화InP적화학급기야금학반응결정,병차소량적In-Au화합물적형성가능유익우접촉특성적개선.결과표명,채용합괄적퇴화조건가이제비출저조、표면광활、가고성고적구모접촉.
