固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
1期
83-87
,共5页
射频微机电系统开关%圆片级封装%喷胶工艺
射頻微機電繫統開關%圓片級封裝%噴膠工藝
사빈미궤전계통개관%원편급봉장%분효공예
将喷胶技术应用到金属互联工艺中,此方法可以用于器件的封装.具体工艺步骤如下:在衬底与硅帽键合结束后在底部湿法刻蚀孔200μm.在孔中利用PECVD生长SiO2,优化喷胶工艺在盲孔底部进行光刻,RIE除去SiO2后电镀金与衬底正面器件实现金属互联,传输线从衬底底部引出.针对整个流程中关键的步骤,进行20 μm深孔光刻实验,结果证实能在深孔中光刻图形.
將噴膠技術應用到金屬互聯工藝中,此方法可以用于器件的封裝.具體工藝步驟如下:在襯底與硅帽鍵閤結束後在底部濕法刻蝕孔200μm.在孔中利用PECVD生長SiO2,優化噴膠工藝在盲孔底部進行光刻,RIE除去SiO2後電鍍金與襯底正麵器件實現金屬互聯,傳輸線從襯底底部引齣.針對整箇流程中關鍵的步驟,進行20 μm深孔光刻實驗,結果證實能在深孔中光刻圖形.
장분효기술응용도금속호련공예중,차방법가이용우기건적봉장.구체공예보취여하:재츤저여규모건합결속후재저부습법각식공200μm.재공중이용PECVD생장SiO2,우화분효공예재맹공저부진행광각,RIE제거SiO2후전도금여츤저정면기건실현금속호련,전수선종츤저저부인출.침대정개류정중관건적보취,진행20 μm심공광각실험,결과증실능재심공중광각도형.
