材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
19期
117-122
,共6页
Ge/Si量子点生长%图形衬底%表面原子掺杂%超薄SiO2层%Ge组分
Ge/Si量子點生長%圖形襯底%錶麵原子摻雜%超薄SiO2層%Ge組分
Ge/Si양자점생장%도형츤저%표면원자참잡%초박SiO2층%Ge조분
回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展.主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化.
迴顧瞭近年來在Ge/Si量子點生長方麵的研究進展.主要討論瞭為瞭提高量子點空間分佈有序性、增大量子點的密度、減小量子點的呎吋及改善其分佈均勻性而採取的各種方法,如圖形襯底輔助生長、錶麵原子摻雜及利用超薄SiO2層輔助生長等,以及Ge量子點的縯變及組分變化.
회고료근년래재Ge/Si양자점생장방면적연구진전.주요토론료위료제고양자점공간분포유서성、증대양자점적밀도、감소양자점적척촌급개선기분포균균성이채취적각충방법,여도형츤저보조생장、표면원자참잡급이용초박SiO2층보조생장등,이급Ge양자점적연변급조분변화.
