中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2009年
8期
79-83
,共5页
陈险峰%陈文桥%王玉科%苏凤莲%郭强%简维廷
陳險峰%陳文橋%王玉科%囌鳳蓮%郭彊%簡維廷
진험봉%진문교%왕옥과%소봉련%곽강%간유정
失效分析%NROM%位线
失效分析%NROM%位線
실효분석%NROM%위선
NROM(Nitride Read Only Memory)位线(Bit Line,BL)是通过离子注入的方式,由硅衬底掺杂形成的源极/漏极区组成,被称作埋入式位线(Buried BL).由于衬底掺杂及其浓度分布无法直接通过扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)剖面形貌分析的方法获得,并且单一结区形貌很难反映整个器件的特性,所以在由掺杂引起的器件失效分析过程面临很大的挑战.本文结合深亚微米NROM制程中,晶圆级电性测试(wafer accept test,WAT)参数Pt(BL到BL之间的击穿电压)和I off(关态电流)失效分析的案例,介绍了一种新的物性失效分析方法一间接剥层的方法来显示衬底形貌,可以清晰地观察到埋入式位线的失效区域.
NROM(Nitride Read Only Memory)位線(Bit Line,BL)是通過離子註入的方式,由硅襯底摻雜形成的源極/漏極區組成,被稱作埋入式位線(Buried BL).由于襯底摻雜及其濃度分佈無法直接通過掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)剖麵形貌分析的方法穫得,併且單一結區形貌很難反映整箇器件的特性,所以在由摻雜引起的器件失效分析過程麵臨很大的挑戰.本文結閤深亞微米NROM製程中,晶圓級電性測試(wafer accept test,WAT)參數Pt(BL到BL之間的擊穿電壓)和I off(關態電流)失效分析的案例,介紹瞭一種新的物性失效分析方法一間接剝層的方法來顯示襯底形貌,可以清晰地觀察到埋入式位線的失效區域.
NROM(Nitride Read Only Memory)위선(Bit Line,BL)시통과리자주입적방식,유규츤저참잡형성적원겁/루겁구조성,피칭작매입식위선(Buried BL).유우츤저참잡급기농도분포무법직접통과소묘전자현미경(SEM)혹투사전자현미경(TEM)부면형모분석적방법획득,병차단일결구형모흔난반영정개기건적특성,소이재유참잡인기적기건실효분석과정면림흔대적도전.본문결합심아미미NROM제정중,정원급전성측시(wafer accept test,WAT)삼수Pt(BL도BL지간적격천전압)화I off(관태전류)실효분석적안례,개소료일충신적물성실효분석방법일간접박층적방법래현시츤저형모,가이청석지관찰도매입식위선적실효구역.
