电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
7期
5-7
,共3页
吉岸%刘祥峰%袁纪烈%卞德东
吉岸%劉祥峰%袁紀烈%卞德東
길안%류상봉%원기렬%변덕동
无机非金属材料%BNT陶瓷%介电性能%击穿场强
無機非金屬材料%BNT陶瓷%介電性能%擊穿場彊
무궤비금속재료%BNT도자%개전성능%격천장강
采用传统固相反应法,制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,并添加质量分数为1%～6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃.对其显微结构和介电性能进行了研究.结果表明:在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的烧结温度从1 250℃以上降低到1 150℃,并提高其介电性能.当添加质量分数为4%的MgLiSi玻璃时,BNT陶瓷可获得最佳的介电性能:εr=95,tanδ=5×10-4,击穿场强为16.7×103V/mm.
採用傳統固相反應法,製備瞭鎢青銅結構BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)陶瓷,併添加質量分數為1%～6%的MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)玻璃.對其顯微結構和介電性能進行瞭研究.結果錶明:在BNT陶瓷中添加適量的MgLiSi玻璃,可以使BNT陶瓷的燒結溫度從1 250℃以上降低到1 150℃,併提高其介電性能.噹添加質量分數為4%的MgLiSi玻璃時,BNT陶瓷可穫得最佳的介電性能:εr=95,tanδ=5×10-4,擊穿場彊為16.7×103V/mm.
채용전통고상반응법,제비료오청동결구BaO·Nd2O3·4TiO2(BNT)도자,병첨가질량분수위1%～6%적MgO·Li2O·SiO2(MgLiSi)파리.대기현미결구화개전성능진행료연구.결과표명:재BNT도자중첨가괄량적MgLiSi파리,가이사BNT도자적소결온도종1 250℃이상강저도1 150℃,병제고기개전성능.당첨가질량분수위4%적MgLiSi파리시,BNT도자가획득최가적개전성능:εr=95,tanδ=5×10-4,격천장강위16.7×103V/mm.
