微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
12期
689-693
,共5页
赵永林%李献杰%刘英斌%齐利芳%过帆%蔡道民%尹顺政%刘跳
趙永林%李獻傑%劉英斌%齊利芳%過帆%蔡道民%尹順政%劉跳
조영림%리헌걸%류영빈%제리방%과범%채도민%윤순정%류도
量子阱红外探测器%双色%暗电流密度%响应光谱%探测率%二维光栅
量子阱紅外探測器%雙色%暗電流密度%響應光譜%探測率%二維光柵
양자정홍외탐측기%쌍색%암전류밀도%향응광보%탐측솔%이유광책
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2 μm;对制作的500μm×500 μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析.在-3V偏压、77 K温度和300 K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02 mA/cm2;-3 V偏压、80 K温度下MWIR和LWIRQWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2 V偏压、65 K温度下,LWIR和MWIRQWIP的峰值探测率分另q为1.4×104、6×1010 cm·Hz1/2/W.
採用n型摻雜的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生長技術,利用成熟的GaAs集成電路加工工藝,設計併製作瞭不同結構的中波-長波雙色量子阱紅外探測器(QWIP)器件,器件採用正麵入射二維光柵耦閤,光柵週期設計為4μm,寬度2 μm;對製作的500μm×500 μm大麵積雙色QWIP單元器件暗電流、響應光譜、探測率進行瞭測試和分析.在-3V偏壓、77 K溫度和300 K揹景溫度下長波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗電流密度分彆為0.6、0.02 mA/cm2;-3 V偏壓、80 K溫度下MWIR和LWIRQWIP的響應光譜峰值波長分彆為5.2、7.8μm;在2 V偏壓、65 K溫度下,LWIR和MWIRQWIP的峰值探測率分另q為1.4×104、6×1010 cm·Hz1/2/W.
채용n형참잡적AlGaAs/GaAs화AlGaAs/InGaA다양자정재료,기우MOCVD외연생장기술,이용성숙적GaAs집성전로가공공예,설계병제작료불동결구적중파-장파쌍색양자정홍외탐측기(QWIP)기건,기건채용정면입사이유광책우합,광책주기설계위4μm,관도2 μm;대제작적500μm×500 μm대면적쌍색QWIP단원기건암전류、향응광보、탐측솔진행료측시화분석.재-3V편압、77 K온도화300 K배경온도하장파(LWIR)화중파(MWIR)QWIP적암전류밀도분별위0.6、0.02 mA/cm2;-3 V편압、80 K온도하MWIR화LWIRQWIP적향응광보봉치파장분별위5.2、7.8μm;재2 V편압、65 K온도하,LWIR화MWIRQWIP적봉치탐측솔분령q위1.4×104、6×1010 cm·Hz1/2/W.
