含能材料
含能材料
함능재료
ENERGETIC MATERIALS
2008年
5期
564-566,576
,共4页
张文超%叶家海%秦志春%周彬%田桂蓉%徐振相
張文超%葉傢海%秦誌春%週彬%田桂蓉%徐振相
장문초%협가해%진지춘%주빈%전계용%서진상
应用化学%火工品%半导体桥%等离子体%电爆换能
應用化學%火工品%半導體橋%等離子體%電爆換能
응용화학%화공품%반도체교%등리자체%전폭환능
对电容激励模式下半导体桥(SCB)的电流、电压以及光的变化进行了测试,从能量的角度对半导体桥电爆换能过程进行了分析,并对电爆换能过程中硅桥物质形态的变化进行了量化分析,在电容为22 μF、充电电压为45 V的情况下,SCB上电压为最低时(2.18 μs,10 V)有61.1%的桥区熔化,SCB上电压为最高时(3.48 μs,43 V)桥区有14.5%气化,在SCB发火光强最亮时(17.60 μs)有70.3%的半导体硅桥电离.
對電容激勵模式下半導體橋(SCB)的電流、電壓以及光的變化進行瞭測試,從能量的角度對半導體橋電爆換能過程進行瞭分析,併對電爆換能過程中硅橋物質形態的變化進行瞭量化分析,在電容為22 μF、充電電壓為45 V的情況下,SCB上電壓為最低時(2.18 μs,10 V)有61.1%的橋區鎔化,SCB上電壓為最高時(3.48 μs,43 V)橋區有14.5%氣化,在SCB髮火光彊最亮時(17.60 μs)有70.3%的半導體硅橋電離.
대전용격려모식하반도체교(SCB)적전류、전압이급광적변화진행료측시,종능량적각도대반도체교전폭환능과정진행료분석,병대전폭환능과정중규교물질형태적변화진행료양화분석,재전용위22 μF、충전전압위45 V적정황하,SCB상전압위최저시(2.18 μs,10 V)유61.1%적교구용화,SCB상전압위최고시(3.48 μs,43 V)교구유14.5%기화,재SCB발화광강최량시(17.60 μs)유70.3%적반도체규교전리.
