光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
3期
202-206
,共5页
氧化铟锡薄膜%溶胶-凝胶法%方阻%透光率
氧化銦錫薄膜%溶膠-凝膠法%方阻%透光率
양화인석박막%용효-응효법%방조%투광솔
采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜.详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件.结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4+离子取代In2O3晶格中的In3+离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600 Ω/□,可见光透过率达到83%.
採用溶膠-凝膠法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O為前驅物在玻璃基片上製備瞭ITO透明導電薄膜.詳細研究瞭熱處理初始溫度、溶膠濃度、熱處理溫度、熱處理時間、銦錫比例以及鍍膜層數對薄膜光電特性的影響,得齣瞭最佳工藝條件.結果錶明,採用最佳工藝製備的ITO透明導電薄膜為體心立方的In2O3結構,Sn4+離子取代In2O3晶格中的In3+離子,樣品不含低價氧化錫,薄膜方阻達到600 Ω/□,可見光透過率達到83%.
채용용효-응효법이InCl3·4H2O화SnCl4·5H2O위전구물재파리기편상제비료ITO투명도전박막.상세연구료열처리초시온도、용효농도、열처리온도、열처리시간、인석비례이급도막층수대박막광전특성적영향,득출료최가공예조건.결과표명,채용최가공예제비적ITO투명도전박막위체심립방적In2O3결구,Sn4+리자취대In2O3정격중적In3+리자,양품불함저개양화석,박막방조체도600 Ω/□,가견광투과솔체도83%.
