压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2008年
4期
453-455
,共3页
锆钛酸铅(PZT)%压电薄膜%微传感器%湿法化学刻蚀
鋯鈦痠鉛(PZT)%壓電薄膜%微傳感器%濕法化學刻蝕
고태산연(PZT)%압전박막%미전감기%습법화학각식
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜, 为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶.首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)＝280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蚀液在室温下对未结晶的PZT压电薄膜进行了湿法腐蚀微细加工;然后,对图形化好的压电薄膜进行再结晶的热处理,实验结果表明这种方法可用于压电薄膜微器件的制备.
採用溶膠-凝膠法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上製備PZT壓電薄膜, 為瞭選擇更適閤微電子機械繫統(MEMS)器件的壓電薄膜,採用一般熱處理和快速熱處理對鋯鈦痠鉛(PZT)壓電薄膜進行榦燥和結晶.首先,採用V(H2O):V(HCL):V(HF)＝280 mL:120 mL:4drops(4滴HF溶液)配比的腐蝕液在室溫下對未結晶的PZT壓電薄膜進行瞭濕法腐蝕微細加工;然後,對圖形化好的壓電薄膜進行再結晶的熱處理,實驗結果錶明這種方法可用于壓電薄膜微器件的製備.
채용용효-응효법재Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt기편상제비PZT압전박막, 위료선택경괄합미전자궤계계통(MEMS)기건적압전박막,채용일반열처리화쾌속열처리대고태산연(PZT)압전박막진행간조화결정.수선,채용V(H2O):V(HCL):V(HF)＝280 mL:120 mL:4drops(4적HF용액)배비적부식액재실온하대미결정적PZT압전박막진행료습법부식미세가공;연후,대도형화호적압전박막진행재결정적열처리,실험결과표명저충방법가용우압전박막미기건적제비.
