半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
1期
73-76
,共4页
张丛春%刘兴刚%石金川%杨春生
張叢春%劉興剛%石金川%楊春生
장총춘%류흥강%석금천%양춘생
铜互连%TaN阻挡层%磁控溅射%热稳定性
銅互連%TaN阻擋層%磁控濺射%熱穩定性
동호련%TaN조당층%자공천사%열은정성
用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性.同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能.结果发现,在退火温度不超过400 ℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ·cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升.低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600 ℃,薄膜电阻基本不变.
用反應磁控濺射方法在SiO2/Si(100)襯底和Cu薄膜間濺射一層TaN阻擋層,測試不同N氣分壓及熱處理溫度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的顯微結構和電阻特性.同時利用微細加工技術加工瞭鏤空的Cu互連扠指測試結構,研究瞭TaN薄膜在鏤空的銅互連結構中的擴散阻擋性能.結果髮現,在退火溫度不超過400 ℃時,薄膜電阻率均低于80μΩ·cm,而噹濺射N分壓超過10%,退火溫度超過400℃時,薄膜電阻率很快上升.低N氣分壓下(≤10%)濺射時,即使退火溫度達到600 ℃,薄膜電阻基本不變.
용반응자공천사방법재SiO2/Si(100)츤저화Cu박막간천사일층TaN조당층,측시불동N기분압급열처리온도하Cu/TaN/SiO2/Si박막적현미결구화전조특성.동시이용미세가공기술가공료루공적Cu호련차지측시결구,연구료TaN박막재루공적동호련결구중적확산조당성능.결과발현,재퇴화온도불초과400 ℃시,박막전조솔균저우80μΩ·cm,이당천사N분압초과10%,퇴화온도초과400℃시,박막전조솔흔쾌상승.저N기분압하(≤10%)천사시,즉사퇴화온도체도600 ℃,박막전조기본불변.
