半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
1期
56-58,72
,共4页
李若凡%武一宾%马永强%张志国%杨瑞霞
李若凡%武一賓%馬永彊%張誌國%楊瑞霞
리약범%무일빈%마영강%장지국%양서하
氮化镓%Poisson-Schr(o)dinger方程%逆压电极化效应%2DEG浓度
氮化鎵%Poisson-Schr(o)dinger方程%逆壓電極化效應%2DEG濃度
담화가%Poisson-Schr(o)dinger방정%역압전겁화효응%2DEG농도
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发,通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,研究了逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结中2DEG浓度的影响.计算结果显示,逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013 cm-2;当等效外加电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2,可见当等效外电压由0～15 V变化时,2DEG浓度下降了48.4%.
從正-逆壓電極化效應對GaN材料的影響齣髮,通過自洽求解一維Poisson-Schr(o)dinger方程,研究瞭逆壓電極化效應對AlGaN/GaN異質結中2DEG濃度的影響.計算結果顯示,逆壓電極化明顯影響2DEG性質,噹Al組分x=0.3,AlGaN層厚度為20 nm時,不攷慮逆壓電極化,2DEG濃度為1.53×1013 cm-2;噹等效外加電壓分彆為10和15 V時,2DEG濃度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2,可見噹等效外電壓由0～15 V變化時,2DEG濃度下降瞭48.4%.
종정-역압전겁화효응대GaN재료적영향출발,통과자흡구해일유Poisson-Schr(o)dinger방정,연구료역압전겁화효응대AlGaN/GaN이질결중2DEG농도적영향.계산결과현시,역압전겁화명현영향2DEG성질,당Al조분x=0.3,AlGaN층후도위20 nm시,불고필역압전겁화,2DEG농도위1.53×1013 cm-2;당등효외가전압분별위10화15 V시,2DEG농도강저지1.04×1013cm-2화0.789×1013cm-2,가견당등효외전압유0～15 V변화시,2DEG농도하강료48.4%.
