半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
12期
1086-1089
,共4页
谢凌寒%吴金%汪少康%李艳芳%吴毅强
謝凌寒%吳金%汪少康%李豔芳%吳毅彊
사릉한%오금%왕소강%리염방%오의강
共栅输入级%电压比较器%共模信号%响应速度
共柵輸入級%電壓比較器%共模信號%響應速度
공책수입급%전압비교기%공모신호%향응속도
当输入信号的共模值超过或者接近电源电压时,传统的电压比较器就会出现不足,因此有必要设计新的比较器来实现对高共模信号的检测.采用了共栅差分输入级,极大地增加了输入共模信号的范围.基于此输入级设计了两个电压比较器,一个在锂电池充电电路中实现了对电池和电源电压的监控,另一个响应速度快.CSMC 0.6 μm CMOS工艺的仿真结果表明,前者能简便的实现输入失调和迟滞控制功能,静态电流仅为1.2 μA;后者在单电源5 V下输入共模范围是1.3～15 V,在10 mV的过驱动电压下,延时为11 ns,静态工作电流为91 μA.
噹輸入信號的共模值超過或者接近電源電壓時,傳統的電壓比較器就會齣現不足,因此有必要設計新的比較器來實現對高共模信號的檢測.採用瞭共柵差分輸入級,極大地增加瞭輸入共模信號的範圍.基于此輸入級設計瞭兩箇電壓比較器,一箇在鋰電池充電電路中實現瞭對電池和電源電壓的鑑控,另一箇響應速度快.CSMC 0.6 μm CMOS工藝的倣真結果錶明,前者能簡便的實現輸入失調和遲滯控製功能,靜態電流僅為1.2 μA;後者在單電源5 V下輸入共模範圍是1.3～15 V,在10 mV的過驅動電壓下,延時為11 ns,靜態工作電流為91 μA.
당수입신호적공모치초과혹자접근전원전압시,전통적전압비교기취회출현불족,인차유필요설계신적비교기래실현대고공모신호적검측.채용료공책차분수입급,겁대지증가료수입공모신호적범위.기우차수입급설계료량개전압비교기,일개재리전지충전전로중실현료대전지화전원전압적감공,령일개향응속도쾌.CSMC 0.6 μm CMOS공예적방진결과표명,전자능간편적실현수입실조화지체공제공능,정태전류부위1.2 μA;후자재단전원5 V하수입공모범위시1.3～15 V,재10 mV적과구동전압하,연시위11 ns,정태공작전류위91 μA.
