半绝缘6H-SiC单晶的生长
반절연6H-SiC단정적생장
Growth of Vanadium Doped Semi-Insulating 6H-SiC
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 221-224 ,共4页

    宁丽娜%胡小波%陈秀芳%李娟%王英民%姜守振%徐现刚

    저려나%호소파%진수방%리연%왕영민%강수진%서현강

    半绝缘%碳化硅%升华法 半絕緣%碳化硅%升華法
    반절연%탄화규%승화법
    用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.
    용승화법생장출료전조솔고체1010Ω·cm적반절연6H-SiC체괴정체.용이차리자질보(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、휘광방전질보(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)측량료정체화원료중적잡질농도,포괄붕、려、범.결과표명,범적농도회영향생장정체적질량.분별용Pt화In주전겁측시양품전조솔특성,발현불동적전겁대측시결과유교대영향.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문