硅基3C-SiC的热氧化机理
규기3C-SiC적열양화궤리
Mechanism of Thermal Oxidation of 3C-SiC Grown on Si
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 95-98 ,共4页

    赵永梅%孙国胜%刘兴昉%李家业%赵万顺%王雷%罗木昌%李晋闽

    조영매%손국성%류흥방%리가업%조만순%왕뢰%라목창%리진민

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    采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.
    채용저압화학기상침적(LPCVD)방법재Si(100)츤저상외연생장3C-SiC.이용간양양화방법대생장적SiC층진행료열양화,양화온도위1050℃.채용X사선광전자능보의(XPS),결합Ar+천사기술,재불동적천사시간하,대양화생장적SiO2층급SiO2/SiC계면층적화학건화조성성분진행료심도보분석,재차기출상제출료열양화모형,탐토료3C-SiC적열양화궤리.
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