微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
7期
196-197,209
,共3页
王承栋%杨集%冯士维%张跃宗%庄四祥%张弓长
王承棟%楊集%馮士維%張躍宗%莊四祥%張弓長
왕승동%양집%풍사유%장약종%장사상%장궁장
探测器%光响应度%铟镓砷/磷化铟
探測器%光響應度%銦鎵砷/燐化銦
탐측기%광향응도%인가신/린화인
分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的.采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度.结果显示,器件的光谱响应范围为1000～1600 nm,在1500 nm激光的辐照下,5 V反向偏压时器件的响应度可达0.95 A/W以上.
分析瞭影響探測器響應度的各因素,在此基礎上設計瞭InGaAs/InP PIN探測器的外延材料結構併優化瞭增透膜厚度和p-InP區歐姆接觸電極圖形的設計,以達到提高響應度的目的.採用MOCVD技術和閉管擴散等工藝製備瞭器件併測量瞭其響應度.結果顯示,器件的光譜響應範圍為1000～1600 nm,在1500 nm激光的輻照下,5 V反嚮偏壓時器件的響應度可達0.95 A/W以上.
분석료영향탐측기향응도적각인소,재차기출상설계료InGaAs/InP PIN탐측기적외연재료결구병우화료증투막후도화p-InP구구모접촉전겁도형적설계,이체도제고향응도적목적.채용MOCVD기술화폐관확산등공예제비료기건병측량료기향응도.결과현시,기건적광보향응범위위1000～1600 nm,재1500 nm격광적복조하,5 V반향편압시기건적향응도가체0.95 A/W이상.
