半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1448-1453
,共6页
累积型MOS变容管%射频模型%方程%连续%可导
纍積型MOS變容管%射頻模型%方程%連續%可導
루적형MOS변용관%사빈모형%방정%련속%가도
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.
提齣一種改進的纍積型MOS變容管射頻模型,改進後模型方程可精確描述纍積型MOS變容管全工作區域特性;模型方程連續,且任意階次可導,至少三階導數求解結果可實現與測試結果的精確擬閤,解決瞭原模型可導但導數錯誤、變阻方程不連續等問題.模型最終應用到採用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工藝製造的一30柵指(每指呎吋為長L=1μm,寬W=4.76μm)纍積型MOS變容管建模中,測量和倣真所得C-V,R-V特性,品質因素以及高達39GHz S參數對比結果驗證瞭模型的良好精度.
제출일충개진적루적형MOS변용관사빈모형,개진후모형방정가정학묘술루적형MOS변용관전공작구역특성;모형방정련속,차임의계차가도,지소삼계도수구해결과가실현여측시결과적정학의합,해결료원모형가도단도수착오、변조방정불련속등문제.모형최종응용도채용CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS공예제조적일30책지(매지척촌위장L=1μm,관W=4.76μm)루적형MOS변용관건모중,측량화방진소득C-V,R-V특성,품질인소이급고체39GHz S삼수대비결과험증료모형적량호정도.
