半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
42-46
,共5页
GaN/AlN量子点结构%应变%自发极化%压电极化
GaN/AlN量子點結構%應變%自髮極化%壓電極化
GaN/AlN양자점결구%응변%자발겁화%압전겁화
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.
從Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體壓電極化對應變的依賴關繫齣髮,採用有限元方法計算瞭GaN/AlN量子點結構中的應變分佈,研究瞭其自髮極化、壓電極化以及極化電荷密度.結果錶明,應變導緻的壓電極化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體所特有的自髮極化將導緻電荷分佈的變化,使電子聚集在量子點頂部,空穴聚集在量子點下麵的濕潤層中,在量子點結構中產生顯著的極化電場,併討論瞭電場的存在對能帶帶邊的形狀以及能級分佈的影響.
종Ⅲ-Ⅴ족담화물반도체압전겁화대응변적의뢰관계출발,채용유한원방법계산료GaN/AlN양자점결구중적응변분포,연구료기자발겁화、압전겁화이급겁화전하밀도.결과표명,응변도치적압전겁화화Ⅲ-Ⅴ족담화물반도체소특유적자발겁화장도치전하분포적변화,사전자취집재양자점정부,공혈취집재양자점하면적습윤층중,재양자점결구중산생현저적겁화전장,병토론료전장적존재대능대대변적형상이급능급분포적영향.
