CAJ | 학술논문

采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth, SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator, EAM)与分布反馈激光器(distribute feedback laser, DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能:激射阈值为19 mA,出光功率接近7 mW,边模抑制比(side-mode suppression ratio, SMSR)大于40 dB,将该集成器件出射光耦合进普通单模光纤后进行测量,获得了16 dB的消光比,器件3 dB响应带宽达到了10 GHz以上.将该集成器件完全封装后成功进行了10 Gb/s非归零码(non-return zero, NRZ)的传输实验:在误码率为10-10的传输条件下于普通单模光纤中传输了53.3 km,色散代价小于1.5 dB,动态消光比大于8 dB,且眼图清晰张开.
채용초저압(22×102Pa)선택구역생장(selective area growth, SAG)금속유궤화학기상침적(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)기술성공제비료응변형InGaAsP/InGaAsP전흡수조제기(electroabsorption modulator, EAM)여분포반궤격광기(distribute feedback laser, DFB)단편집성광원적신형광전기건.실험결과표명,채용해기술제비적집성기건표현출료량호적성능:격사역치위19 mA,출광공솔접근7 mW,변모억제비(side-mode suppression ratio, SMSR)대우40 dB,장해집성기건출사광우합진보통단모광섬후진행측량,획득료16 dB적소광비,기건3 dB향응대관체도료10 GHz이상.장해집성기건완전봉장후성공진행료10 Gb/s비귀령마(non-return zero, NRZ)적전수실험:재오마솔위10-10적전수조건하우보통단모광섬중전수료53.3 km,색산대개소우1.5 dB,동태소광비대우8 dB,차안도청석장개.