河北大学学报（自然科学版）
河北大學學報（自然科學版）
하북대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2006年
2期
152-156
,共5页
韩晓霞%于威%张立%崔双魁%路万兵
韓曉霞%于威%張立%崔雙魁%路萬兵
한효하%우위%장립%최쌍괴%로만병
纳米β-SiC%过剩载流子%微波吸收
納米β-SiC%過剩載流子%微波吸收
납미β-SiC%과잉재류자%미파흡수
利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.
利用微波吸收技術對Si襯底上微晶及納米β-SiC薄膜的過剩載流子瞬態行為進行瞭分析.所用樣品採用PECVD技術製備,微波吸收測量採用脈寬35 ps,波長355 nm脈遲激光.所測得的載流子濃度衰減分為快、慢2箇過程,微波吸收瞬態特性滿足雙指數衰減規律.該結果錶明,樣品光生載流子衰減過程主要決定于2種陷阱作用,其中快過程與SiC薄膜中淺能級陷阱的載流子弛豫效應相關,而慢過程則是深能級陷阱的載流子弛豫行為佔優勢的結果.納米碳化硅晶粒界麵較高的缺陷態密度導緻載流子俘穫幾率增加,非輻射複閤幾率減小,納米β-SiC薄膜錶現較長的載流子衰減時間.
이용미파흡수기술대Si츤저상미정급납미β-SiC박막적과잉재류자순태행위진행료분석.소용양품채용PECVD기술제비,미파흡수측량채용맥관35 ps,파장355 nm맥충격광.소측득적재류자농도쇠감분위쾌、만2개과정,미파흡수순태특성만족쌍지수쇠감규률.해결과표명,양품광생재류자쇠감과정주요결정우2충함정작용,기중쾌과정여SiC박막중천능급함정적재류자이예효응상관,이만과정칙시심능급함정적재류자이예행위점우세적결과.납미탄화규정립계면교고적결함태밀도도치재류자부획궤솔증가,비복사복합궤솔감소,납미β-SiC박막표현교장적재류자쇠감시간.
