半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
5期
490-493
,共4页
快速热处理%空位%清洁区%氧沉淀
快速熱處理%空位%清潔區%氧沉澱
쾌속열처리%공위%청길구%양침정
主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.
主要研究瞭快速熱處理(RTP)對大直徑直拉(CZ)硅片的清潔區(DZ)和氧沉澱的影響.通過在Ar、N2、O2三種不同氣氛中,在不同溫度下RTP髮現在大直徑CZ硅片中氧沉澱的行為及DZ的寬度與RTP的溫度、氣氛有很大關繫.在實驗的基礎上,討論瞭在大直徑CZ硅中RTP對氧沉澱和DZ的影響機理.
주요연구료쾌속열처리(RTP)대대직경직랍(CZ)규편적청길구(DZ)화양침정적영향.통과재Ar、N2、O2삼충불동기분중,재불동온도하RTP발현재대직경CZ규편중양침정적행위급DZ적관도여RTP적온도、기분유흔대관계.재실험적기출상,토론료재대직경CZ규중RTP대양침정화DZ적영향궤리.
