固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
4期
415-423
,共9页
黄榕旭%蒋聚小%郑国祥%俞宏坤%任云珠%徐蓓蕾
黃榕旭%蔣聚小%鄭國祥%俞宏坤%任雲珠%徐蓓蕾
황용욱%장취소%정국상%유굉곤%임운주%서배뢰
RTP%退火%硅化物%肖特基势垒
RTP%退火%硅化物%肖特基勢壘
RTP%퇴화%규화물%초특기세루
基于TiSi2低电阻率的优点,采用Ti制作肖特基二极管.在VLSI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管(SBD)的制作.文中用AES等技术研究不同退火工艺形成的Ti/Si界面形态和结构,寻找完善的工艺设计和退火条件.此外还测量Al/TiN/Ti/Si结构的金属硅化物SBD的有关特性.通过工艺实验确定VLSI中的钛硅化物最佳的制作工艺条件.
基于TiSi2低電阻率的優點,採用Ti製作肖特基二極管.在VLSI工藝中實現同時完成鈦硅化物歐姆接觸和肖特基勢壘二極管(SBD)的製作.文中用AES等技術研究不同退火工藝形成的Ti/Si界麵形態和結構,尋找完善的工藝設計和退火條件.此外還測量Al/TiN/Ti/Si結構的金屬硅化物SBD的有關特性.通過工藝實驗確定VLSI中的鈦硅化物最佳的製作工藝條件.
기우TiSi2저전조솔적우점,채용Ti제작초특기이겁관.재VLSI공예중실현동시완성태규화물구모접촉화초특기세루이겁관(SBD)적제작.문중용AES등기술연구불동퇴화공예형성적Ti/Si계면형태화결구,심조완선적공예설계화퇴화조건.차외환측량Al/TiN/Ti/Si결구적금속규화물SBD적유관특성.통과공예실험학정VLSI중적태규화물최가적제작공예조건.
