硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术
규각식현장연구적표면랍만광보기술
Surface Ramam Spectrpscopy for in Situ Investigating Silicon Etching Process
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2000年 6期 833-835 ,共3页

    刘峰名%任斌%田中群

    류봉명%임빈%전중군

    显微拉曼光谱%硅%表面氧化 顯微拉曼光譜%硅%錶麵氧化
    현미랍만광보%규%표면양화
    通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究.文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响,并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程.实验结果表明,在以HF为主的湿法刻蚀中,硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代.
    통과대랍만보의화전겁조조방법적우화,본문장표면랍만광보기술탁관도료반도체규전겁표면적현장연구.문중관측료불동조조시간대규각식적영향,병실시고찰료규경표면재개로전위하적양화과정.실험결과표명,재이HF위주적습법각식중,규표면적현괘건주요피H이불시피F취대.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문