湖北大学学报（自然科学版）
湖北大學學報（自然科學版）
호북대학학보（자연과학판）
2000年
2期
150-153
,共4页
顾豪爽%杨光%王又清%朱杰
顧豪爽%楊光%王又清%硃傑
고호상%양광%왕우청%주걸
(Ba1-xSrx)TiO3薄膜%DRAM%准分子激光%介电常数
(Ba1-xSrx)TiO3薄膜%DRAM%準分子激光%介電常數
(Ba1-xSrx)TiO3박막%DRAM%준분자격광%개전상수
通过准分子(308mm)激光将(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(100)基片上.随着沉积温度的增加,BST薄膜的结晶性显著提高.在600 ℃附近沉积的BST薄膜(400 nm)有良好的结晶性,介电常数为300,损耗因子为0.015,漏电流密度达到2×10-10 A/cm2,电荷存储密度QC为35 fC/μm2(外电场12.5 kV/cm).研究了MFS结构的C-V特性和I-V特性,BST/Si之间存在很好的界面,表现出良好的电性能.
通過準分子(308mm)激光將(Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剝離沉積在Si(100)基片上.隨著沉積溫度的增加,BST薄膜的結晶性顯著提高.在600 ℃附近沉積的BST薄膜(400 nm)有良好的結晶性,介電常數為300,損耗因子為0.015,漏電流密度達到2×10-10 A/cm2,電荷存儲密度QC為35 fC/μm2(外電場12.5 kV/cm).研究瞭MFS結構的C-V特性和I-V特性,BST/Si之間存在很好的界麵,錶現齣良好的電性能.
통과준분자(308mm)격광장(Ba1-xSrx)TiO3(BST)박막박리침적재Si(100)기편상.수착침적온도적증가,BST박막적결정성현저제고.재600 ℃부근침적적BST박막(400 nm)유량호적결정성,개전상수위300,손모인자위0.015,루전류밀도체도2×10-10 A/cm2,전하존저밀도QC위35 fC/μm2(외전장12.5 kV/cm).연구료MFS결구적C-V특성화I-V특성,BST/Si지간존재흔호적계면,표현출량호적전성능.
