半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
8期
846-851
,共6页
杨恢东%侯信%吴春亚%熊绍珍%郝云%陈有素%郭斌
楊恢東%侯信%吳春亞%熊紹珍%郝雲%陳有素%郭斌
양회동%후신%오춘아%웅소진%학운%진유소%곽빈
非晶硅PIN传感单元%有机发光显示单元%电流耦合%光-光转换
非晶硅PIN傳感單元%有機髮光顯示單元%電流耦閤%光-光轉換
비정규PIN전감단원%유궤발광현시단원%전류우합%광-광전환
设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟.结果表明:器件驱动电压的降低主要通过增大OLED的幂指数因子实现;薄膜a-Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响;降低a-Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域;器件应用领域的不同,对a-SiPIN的并联等效电阻的大小有不同的要求.
設計瞭一種將薄膜a-SiPIN光敏傳感單元與OLED有機髮光顯示單元閤二為一的新型圖像傳感顯示器件;通過對每箇單元的分彆建模以及疊層器件的串聯結構特點,對器件單元像素的電流電壓特性進行瞭模擬.結果錶明:器件驅動電壓的降低主要通過增大OLED的冪指數因子實現;薄膜a-Si PIN的靈敏度對器件靈敏度有決定性的影響;降低a-Si PIN隙態密度能有效地展寬器件的線性響應區域;器件應用領域的不同,對a-SiPIN的併聯等效電阻的大小有不同的要求.
설계료일충장박막a-SiPIN광민전감단원여OLED유궤발광현시단원합이위일적신형도상전감현시기건;통과대매개단원적분별건모이급첩층기건적천련결구특점,대기건단원상소적전류전압특성진행료모의.결과표명:기건구동전압적강저주요통과증대OLED적멱지수인자실현;박막a-Si PIN적령민도대기건령민도유결정성적영향;강저a-Si PIN극태밀도능유효지전관기건적선성향응구역;기건응용영역적불동,대a-SiPIN적병련등효전조적대소유불동적요구.
