GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究
GaNAs/GaAs양자정적정압광치발광연구
Investigation of Photoluminescence from GaNAs/GaAs Quantum Well under Hydrostatic Pressure
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2002年 4期 399-403 ,共5页

    李国华%方再利%丁琨%韩和相%曾美思%王建农%葛惟锟%潘钟%李联合%吴荣汉

    리국화%방재리%정곤%한화상%증미사%왕건농%갈유곤%반종%리연합%오영한

    镓氮砷%压力%光致发光%量子阱 鎵氮砷%壓力%光緻髮光%量子阱
    가담신%압력%광치발광%양자정
    在15 K和0～9 GPa静压范围下测量了GaN0.1 5As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱.观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光,发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多.当压力超过2.5 GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰.用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化,但计算结果与实验结果相差甚大,表明二能级模型并不完全适用.对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论.
    재15 K화0～9 GPa정압범위하측량료GaN0.1 5As0.985/GaAs양자정적광치발광보.관찰도료GaNAs정화GaAs루적발광,발현GaNAs정발광봉수압력적변화비GaAs루발광봉요소흔다.당압력초과2.5 GPa후환관찰도료여GaAs중적N등전자함정유관적일조신발광봉.용이능급모형급측득적GaAs대변화N등전자능급적압역행위계산료GaNAs발광봉수압력적변화,단계산결과여실험결과상차심대,표명이능급모형병불완전괄용.대관찰도적GaNAs발광봉적강도화반관수압력적변화야진행료간단토론.
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