新疆大学学报(自然科学版)
新疆大學學報(自然科學版)
신강대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XINJIANG UNIVERSITY
2002年
1期
18-21
,共4页
范隆%靳涛%杨祖慎%杨志安
範隆%靳濤%楊祖慎%楊誌安
범륭%근도%양조신%양지안
MOS结构%电离损伤%EPR
MOS結構%電離損傷%EPR
MOS결구%전리손상%EPR
利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化.结果表明,辐照前后带有单个未成对自旋电子的Pb0中心浓度未发生明显变化,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷,电子辐照后观察到Pb1中心的出现并随辐照注量增大,质子辐照后则未观察这一现象.当质子辐照到1014p/cm2时,引起部分体缺陷顺磁中心的消失.电子辐照后,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大,表明电子与质子辐照作用机制的差异,质子辐照中位移效应和H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因.
利用電子順磁共振(EPR)技術測量瞭(100)晶嚮硅襯底材料上製作的MOS電容在電子和質子輻照前後缺陷電子順磁(EPR)吸收譜,對比瞭電子和質子輻照前後缺陷順磁中心濃度的變化.結果錶明,輻照前後帶有單箇未成對自鏇電子的Pb0中心濃度未髮生明顯變化,電子與質子輻照均產生瞭新的中性體缺陷,電子輻照後觀察到Pb1中心的齣現併隨輻照註量增大,質子輻照後則未觀察這一現象.噹質子輻照到1014p/cm2時,引起部分體缺陷順磁中心的消失.電子輻照後,產生的體缺陷順磁中心濃度則隨輻照註量增大,錶明電子與質子輻照作用機製的差異,質子輻照中位移效應和H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和順磁吸收消失的主要原因.
이용전자순자공진(EPR)기술측량료(100)정향규츤저재료상제작적MOS전용재전자화질자복조전후결함전자순자(EPR)흡수보,대비료전자화질자복조전후결함순자중심농도적변화.결과표명,복조전후대유단개미성대자선전자적Pb0중심농도미발생명현변화,전자여질자복조균산생료신적중성체결함,전자복조후관찰도Pb1중심적출현병수복조주량증대,질자복조후칙미관찰저일현상.당질자복조도1014p/cm2시,인기부분체결함순자중심적소실.전자복조후,산생적체결함순자중심농도칙수복조주량증대,표명전자여질자복조작용궤제적차이,질자복조중위이효응화H+적존재최가능시조성정격결함소실화순자흡수소실적주요원인.
