物理学报
物理學報
물이학보
2001年
12期
2471-2476
,共6页
纳米Si/C/N复相粉体%微波介电常量%微观结构
納米Si/C/N複相粉體%微波介電常量%微觀結構
납미Si/C/N복상분체%미파개전상량%미관결구
研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2-18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20-30nm.纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部(ε′)和虚部(ε″)以及介电损耗角正切(tanδ=ε″/ε′)随纳米粉体含量的增加而增大,ε′和ε″与纳米粉体体积分数(v)之间符合二次函数关系(ε′,ε″=Av2+Bv+C),纳米Si/C/N复相粉体的ε′和ε″在8.2-18GHz随频率的增大而逐渐减小.纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是损耗电磁波的主要原因,纳米Si/C/N复相粉体的介电损耗较大,而且ε′和ε″可以通过纳米粉体的含量进行调节.
研究瞭納米Si/C/N複相粉體在8.2-18GHz的微波介電特性,採用雙反應室激光氣相閤成納米粉體裝置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)為原料,用激光誘導氣相反應法閤成納米Si/C/N複相粉體,複相粉體的粒徑為20-30nm.納米Si/C/N複相粉體與石蠟複閤體的介電常量的實部(ε′)和虛部(ε″)以及介電損耗角正切(tanδ=ε″/ε′)隨納米粉體含量的增加而增大,ε′和ε″與納米粉體體積分數(v)之間符閤二次函數關繫(ε′,ε″=Av2+Bv+C),納米Si/C/N複相粉體的ε′和ε″在8.2-18GHz隨頻率的增大而逐漸減小.納米Si/C/N複相粉體中的SiC微晶固溶瞭大量的N原子,在納米Si/C/N複相粉體中形成大量的帶電缺陷,在電磁場作用下形成極化耗散電流,極化弛豫是損耗電磁波的主要原因,納米Si/C/N複相粉體的介電損耗較大,而且ε′和ε″可以通過納米粉體的含量進行調節.
연구료납미Si/C/N복상분체재8.2-18GHz적미파개전특성,채용쌍반응실격광기상합성납미분체장치,이륙갑기이규알완((Me3Si)2NH)(Me:CH3)위원료,용격광유도기상반응법합성납미Si/C/N복상분체,복상분체적립경위20-30nm.납미Si/C/N복상분체여석사복합체적개전상량적실부(ε′)화허부(ε″)이급개전손모각정절(tanδ=ε″/ε′)수납미분체함량적증가이증대,ε′화ε″여납미분체체적분수(v)지간부합이차함수관계(ε′,ε″=Av2+Bv+C),납미Si/C/N복상분체적ε′화ε″재8.2-18GHz수빈솔적증대이축점감소.납미Si/C/N복상분체중적SiC미정고용료대량적N원자,재납미Si/C/N복상분체중형성대량적대전결함,재전자장작용하형성겁화모산전류,겁화이예시손모전자파적주요원인,납미Si/C/N복상분체적개전손모교대,이차ε′화ε″가이통과납미분체적함량진행조절.
