北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2001年
6期
763-766
,共4页
X射线探测器%PIN管结构%暗电流密度%N型保护区
X射線探測器%PIN管結構%暗電流密度%N型保護區
X사선탐측기%PIN관결구%암전류밀도%N형보호구
选择高阻N型〈100〉单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减小器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注量增大时,在相同反向偏压条件下,器件的暗电流密度随之减小,同时击穿电压也相应减小.为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触.对减薄后的器件进行I-V特性测量,由于工作电压大幅降低,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小.同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大,将器件温度降低到-15℃时,暗电流密度可降低到1nA·mm-2以下.
選擇高阻N型〈100〉單晶硅材料,X射線探測器為PIN管結構.為瞭減少器件錶麵缺陷對暗電流的影響,在器件P區的兩側使用離子註入形成淺層低濃度N區,以減小器件的暗電流.通過對比實驗髮現,噹N區的註量增大時,在相同反嚮偏壓條件下,器件的暗電流密度隨之減小,同時擊穿電壓也相應減小.為瞭減小器件的工作電壓併進一步減小工作時的暗電流密度,還將器件的揹麵進行厚度減薄、拋光和AuSb/Au閤金形成歐姆接觸.對減薄後的器件進行I-V特性測量,由于工作電壓大幅降低,器件正常工作時的暗電流密度大幅度減小.同時在實驗中髮現溫度對暗電流的影響非常大,將器件溫度降低到-15℃時,暗電流密度可降低到1nA·mm-2以下.
선택고조N형〈100〉단정규재료,X사선탐측기위PIN관결구.위료감소기건표면결함대암전류적영향,재기건P구적량측사용리자주입형성천층저농도N구,이감소기건적암전류.통과대비실험발현,당N구적주량증대시,재상동반향편압조건하,기건적암전류밀도수지감소,동시격천전압야상응감소.위료감소기건적공작전압병진일보감소공작시적암전류밀도,환장기건적배면진행후도감박、포광화AuSb/Au합금형성구모접촉.대감박후적기건진행I-V특성측량,유우공작전압대폭강저,기건정상공작시적암전류밀도대폭도감소.동시재실험중발현온도대암전류적영향비상대,장기건온도강저도-15℃시,암전류밀도가강저도1nA·mm-2이하.
