半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
6期
695-699
,共5页
李成%杨沁清%王红杰%王玉田%余金中%王启明
李成%楊沁清%王紅傑%王玉田%餘金中%王啟明
리성%양심청%왕홍걸%왕옥전%여금중%왕계명
SiGe/Si多量子阱%光电二极管%蓝移%热处理%扩散
SiGe/Si多量子阱%光電二極管%藍移%熱處理%擴散
SiGe/Si다양자정%광전이겁관%람이%열처리%확산
利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响.由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显著的减小. 但是,在750-850℃范围内,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的.
利用光電流譜,結閤X射線雙晶衍射研究瞭快速退火對Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光電二極管的影響.由于應變SiGe的部分弛豫和Si-Ge互擴散,退火後的二極管的截止波長有顯著的減小. 但是,在750-850℃範圍內,波長藍移量隨著退火溫度的增加而變化緩慢,而樣品的光電流彊度卻隨溫度是先減弱而後又增彊,這可能主要是由于在不同溫度退火過程中失配位錯的產生和點缺陷的減小造成的.
이용광전류보,결합X사선쌍정연사연구료쾌속퇴화대Si1-xGex/Si다양자정p-i-n광전이겁관적영향.유우응변SiGe적부분이예화Si-Ge호확산,퇴화후적이겁관적절지파장유현저적감소. 단시,재750-850℃범위내,파장람이량수착퇴화온도적증가이변화완만,이양품적광전류강도각수온도시선감약이후우증강,저가능주요시유우재불동온도퇴화과정중실배위착적산생화점결함적감소조성적.
