半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
10期
1255-1257
,共3页
杨阳%邹建平%陈慧兰%鲍希茂
楊暘%鄒建平%陳慧蘭%鮑希茂
양양%추건평%진혜란%포희무
硅基%介孔%复合材料%发光
硅基%介孔%複閤材料%髮光
규기%개공%복합재료%발광
用化学沉积法制备了C60/多孔硅以及C60/硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物,并研究了它们的发光性质.结果表明C60的毗联可以影响多孔硅的发光性质,但对硅基多孔氧化铝的发光基本不产生影响.这种现象可以从多孔硅以及硅基多孔氧化铝的发光机理进行解释.
用化學沉積法製備瞭C60/多孔硅以及C60/硅基多孔氧化鋁兩種硅基介孔複閤物,併研究瞭它們的髮光性質.結果錶明C60的毗聯可以影響多孔硅的髮光性質,但對硅基多孔氧化鋁的髮光基本不產生影響.這種現象可以從多孔硅以及硅基多孔氧化鋁的髮光機理進行解釋.
용화학침적법제비료C60/다공규이급C60/규기다공양화려량충규기개공복합물,병연구료타문적발광성질.결과표명C60적비련가이영향다공규적발광성질,단대규기다공양화려적발광기본불산생영향.저충현상가이종다공규이급규기다공양화려적발광궤리진행해석.
