化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2004年
3期
236-240
,共5页
聚磷氮烯%电子结构%取代基效应%密度泛函方法
聚燐氮烯%電子結構%取代基效應%密度汎函方法
취린담희%전자결구%취대기효응%밀도범함방법
用分子轨道和晶体轨道方法,对聚磷氮烯及其衍生物的电子结构进行了研究,以期更深入地了解聚磷氮烯的结构和性能.研究发现,链状聚磷氮烯和环状三聚磷氮烯为平面结构,其它的环状聚磷氮烯则为巢式结构,吸电子基团取代有使环状聚磷氮烯主链环取平面结构的倾向.研究还发现,无论是链状还是环状聚磷氮烯,都表现为半导体.取代基效应表明,吸电子基团-F和-CN的取代,使聚合物的电子亲和势(EA)和电离能(IP)均增大,能隙减小,给电子基团-CH3和-OCH3的取代,使聚合物的IP减少;吸电子基团取代有利于n-型掺杂,给电子基团取代有利于p-型掺杂,但都不改变其半导体的特性.
用分子軌道和晶體軌道方法,對聚燐氮烯及其衍生物的電子結構進行瞭研究,以期更深入地瞭解聚燐氮烯的結構和性能.研究髮現,鏈狀聚燐氮烯和環狀三聚燐氮烯為平麵結構,其它的環狀聚燐氮烯則為巢式結構,吸電子基糰取代有使環狀聚燐氮烯主鏈環取平麵結構的傾嚮.研究還髮現,無論是鏈狀還是環狀聚燐氮烯,都錶現為半導體.取代基效應錶明,吸電子基糰-F和-CN的取代,使聚閤物的電子親和勢(EA)和電離能(IP)均增大,能隙減小,給電子基糰-CH3和-OCH3的取代,使聚閤物的IP減少;吸電子基糰取代有利于n-型摻雜,給電子基糰取代有利于p-型摻雜,但都不改變其半導體的特性.
용분자궤도화정체궤도방법,대취린담희급기연생물적전자결구진행료연구,이기경심입지료해취린담희적결구화성능.연구발현,련상취린담희화배상삼취린담희위평면결구,기타적배상취린담희칙위소식결구,흡전자기단취대유사배상취린담희주련배취평면결구적경향.연구환발현,무론시련상환시배상취린담희,도표현위반도체.취대기효응표명,흡전자기단-F화-CN적취대,사취합물적전자친화세(EA)화전리능(IP)균증대,능극감소,급전자기단-CH3화-OCH3적취대,사취합물적IP감소;흡전자기단취대유리우n-형참잡,급전자기단취대유리우p-형참잡,단도불개변기반도체적특성.
