CAJ | 학술논문

在(0001)取向的蓝宝石(αt-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000 A的Al0.22Ga0.7aN/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM).结果表明,样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联.样品势垒层的微应变已经发生弛豫,而且具有一种"非常规"应变弛豫状态,这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-A12O3界面应变弛豫状态有关.掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的,由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态,与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致.
재(0001)취향적람보석(αt-A12O3)기편상용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)방법생장료세루층후도위1000 A적Al0.22Ga0.7aN/GaN이질결구,이용고분변X사선연사(HRXRD)기술측량료양품적대칭반사(0002)화비대칭반사(1014)적도역공간Mapping(RSM).결과표명,양품세루층적내부미결구여응변상태화하층i-GaN적미결구여응변상태호상관련.양품세루층적미응변이경발생이예,이차구유일충"비상규"응변이예상태,저충이예상태적래원가능여n-AlGaN적내부결함이급i-GaN/α-A12O3계면응변이예상태유관.략입사X사선연사연구표명양품내부적응변시불균균적,유표층적횡향압응변상태과도도하층적장응변상태,여근거도역공간Mapping분석득도적결과일치.