红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2005年
3期
185-188
,共4页
罗向东%徐仲英%谭平恒%GE Wei-Kun
囉嚮東%徐仲英%譚平恆%GE Wei-Kun
라향동%서중영%담평항%GE Wei-Kun
GaNAs%激子局域化%光学性质
GaNAs%激子跼域化%光學性質
GaNAs%격자국역화%광학성질
通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解Ⅲ-V-N族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.
通過多種光譜手段研究瞭GaNAs量子阱和體材料中的跼域態和非跼域態的不同光學特性.在超短激光脈遲激髮下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱髮光光譜中,觀察到非跼域激子髮光.選擇激髮光譜錶明,跼域中心主要聚集在GaNAs、GaAs異質結界麵.在低N含量的GaNAs體材料髮光光譜中,除瞭與N相關的跼域態髮光外,也髮現髮光特性完全不同的GaNAs閤金態髮光.這些結果為理解Ⅲ-V-N族半導體的異常能帶特性具有十分重要的意義.
통과다충광보수단연구료GaNAs양자정화체재료중적국역태화비국역태적불동광학특성.재초단격광맥충격발하,제일차재GaNAs/GaAs양자정발광광보중,관찰도비국역격자발광.선택격발광보표명,국역중심주요취집재GaNAs、GaAs이질결계면.재저N함량적GaNAs체재료발광광보중,제료여N상관적국역태발광외,야발현발광특성완전불동적GaNAs합금태발광.저사결과위리해Ⅲ-V-N족반도체적이상능대특성구유십분중요적의의.
