电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
1期
23-26
,共4页
余先育%曹莹%周勇%丁文%商干兵%周志敏%高孝裕
餘先育%曹瑩%週勇%丁文%商榦兵%週誌敏%高孝裕
여선육%조형%주용%정문%상간병%주지민%고효유
电子技术%巨磁阻抗效应%三层等宽结构FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜%微细加工技术
電子技術%巨磁阻抗效應%三層等寬結構FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜%微細加工技術
전자기술%거자조항효응%삼층등관결구FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB박막%미세가공기술
采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜.在1～40 MHz下,研究了多层膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:在频率为5 MHz、磁场强度为12 kA/m下,横向和纵向GMI效应分别达-23.5%和-16.8%.薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降,而纵向表现尤为明显.
採用磁控濺射方法,在玻璃基片上製備瞭麯摺形三層等寬FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多層膜.在1～40 MHz下,研究瞭多層膜材料的巨磁阻抗(GMI)效應隨外加磁場的變化關繫.結果錶明:在頻率為5 MHz、磁場彊度為12 kA/m下,橫嚮和縱嚮GMI效應分彆達-23.5%和-16.8%.薄膜材料的縱嚮、橫嚮GMI效應隨外加磁場變化呈現先增後降,而縱嚮錶現尤為明顯.
채용자공천사방법,재파리기편상제비료곡절형삼층등관FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB다층막.재1～40 MHz하,연구료다층막재료적거자조항(GMI)효응수외가자장적변화관계.결과표명:재빈솔위5 MHz、자장강도위12 kA/m하,횡향화종향GMI효응분별체-23.5%화-16.8%.박막재료적종향、횡향GMI효응수외가자장변화정현선증후강,이종향표현우위명현.
