双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
쌍δ참잡In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As안형고천이솔정체관재료자대전자특성연구
Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 7期 4143-4147 ,共5页

    周文政%林铁%商丽燕%黄志明%朱博%崔利杰%高宏玲%李东临%郭少令%桂永胜%褚君浩

    주문정%림철%상려연%황지명%주박%최리걸%고굉령%리동림%곽소령%계영성%저군호

    SdH振荡%二维电子气%FFT分析%自洽计算 SdH振盪%二維電子氣%FFT分析%自洽計算
    SdH진탕%이유전자기%FFT분석%자흡계산
    研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.
    연구료기우InP기적In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As안형고천이솔정체관재료중종향자전조적Shubniko-de Haas (SdH)진탕효응화곽이효응,통과대종향자전조SdH진탕적쾌속부리협변환분석,획득료각자대전자적농도,병인차구득료각자대능급상대우비미능급적위치.련립구해Schrodinger방정화Poisson방정,자흡계산료양품적도대형상、재류자농도분포이급각자대능급화비미능급위치.이론계산화실험결과흔호부합.실험화이론계산균표명,세루층적참잡전자궤호전부전이도료양자정중,전이솔재95%이상.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문