电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
8期
62-64
,共3页
无机非金属材料%中频磁控溅射%AZO薄膜%退火
無機非金屬材料%中頻磁控濺射%AZO薄膜%退火
무궤비금속재료%중빈자공천사%AZO박막%퇴화
以锌铝合金为靶材,采用工业生产设备,用中频交流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,研究了氩氧比、退火温度、退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响.结果表明,氩气和氧气体积流量比为3:1时常温下得到薄膜的方阻值最低,400 ℃真空退火1 h后薄膜可见光平均透过率由84.0 %上升到86.7 %,方阻值由5 000 Ω/□下降到108 Ω/□.
以鋅鋁閤金為靶材,採用工業生產設備,用中頻交流磁控濺射法在玻璃襯底上製備齣瞭鋁摻雜氧化鋅(AZO)透明導電薄膜,研究瞭氬氧比、退火溫度、退火時間對薄膜結構、光學和電學性能的影響.結果錶明,氬氣和氧氣體積流量比為3:1時常溫下得到薄膜的方阻值最低,400 ℃真空退火1 h後薄膜可見光平均透過率由84.0 %上升到86.7 %,方阻值由5 000 Ω/□下降到108 Ω/□.
이자려합금위파재,채용공업생산설비,용중빈교류자공천사법재파리츤저상제비출료려참잡양화자(AZO)투명도전박막,연구료아양비、퇴화온도、퇴화시간대박막결구、광학화전학성능적영향.결과표명,아기화양기체적류량비위3:1시상온하득도박막적방조치최저,400 ℃진공퇴화1 h후박막가견광평균투과솔유84.0 %상승도86.7 %,방조치유5 000 Ω/□하강도108 Ω/□.