电子科技
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전자과기
IT AGE
2008年
10期
5-7,10
,共4页
光波导%LiNbO3薄膜%射频磁控溅射法%硅衬底
光波導%LiNbO3薄膜%射頻磁控濺射法%硅襯底
광파도%LiNbO3박막%사빈자공천사법%규츤저
利用射频磁控溅射法在硅衬底上生长c轴取向LiNbO3薄膜.研究了生成高质量薄膜的实验条件和快速退火处理对薄膜结晶质量的影响.发现以600℃衬底温度制备薄膜并以650℃进行快速退火时获得了具有优异结晶质量的LiNbO3薄膜.采用扫描电镜分别对薄膜的表面、截面进行了分析.结果表明,薄膜表面光滑,晶粒均匀致密.
利用射頻磁控濺射法在硅襯底上生長c軸取嚮LiNbO3薄膜.研究瞭生成高質量薄膜的實驗條件和快速退火處理對薄膜結晶質量的影響.髮現以600℃襯底溫度製備薄膜併以650℃進行快速退火時穫得瞭具有優異結晶質量的LiNbO3薄膜.採用掃描電鏡分彆對薄膜的錶麵、截麵進行瞭分析.結果錶明,薄膜錶麵光滑,晶粒均勻緻密.
이용사빈자공천사법재규츤저상생장c축취향LiNbO3박막.연구료생성고질량박막적실험조건화쾌속퇴화처리대박막결정질량적영향.발현이600℃츤저온도제비박막병이650℃진행쾌속퇴화시획득료구유우이결정질량적LiNbO3박막.채용소묘전경분별대박막적표면、절면진행료분석.결과표명,박막표면광활,정립균균치밀.
