CAJ | 학술논문

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜.原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge2Sb2Te5比Ge1Sb2Te4结晶更快.原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,Ge2Sb2Te5的热致晶化速率更快.而且Ge2Sb2Te5非晶态与晶态的电阻差值更高.故Ge2Sb2Te5比Ge1Sb2Te4更适合作为相变存储器的材料.另外,对两种薄膜的电学输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,Ge1Sb2Te4材料电导的变化是迁移率和载流子浓度共同作用的结果,而Ge2Sb2Te5材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起.
이용자공천사방법제비료Ge1Sb2Te4화Ge2Sb2Te5량충상변존저재료적박막.원위X사선연사(XRD)적결과표명,수착퇴화온도적승고,Ge1Sb2Te4화Ge2Sb2Te5박막도축보정화,재료결구발생료종비정태도면심립방결구、재도륙각밀퇴결구적전변.유연사봉적반관고가이간출,재체도제일차상변온도후,Ge2Sb2Te5비Ge1Sb2Te4결정경쾌.원위변온전조측량적결과현시,재상동적승온속솔하,Ge2Sb2Te5적열치정화속솔경쾌.이차Ge2Sb2Te5비정태여정태적전조차치경고.고Ge2Sb2Te5비Ge1Sb2Te4경괄합작위상변존저기적재료.령외,대량충박막적전학수운성질진행료연구,곽이효응적측량표명,Ge1Sb2Te4재료전도적변화시천이솔화재류자농도공동작용적결과,이Ge2Sb2Te5재료전도적변화주요시유우재류자농도적변화인기.