半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
1期
26-29
,共4页
杨君玲%陈诺夫%叶小玲%何宏家
楊君玲%陳諾伕%葉小玲%何宏傢
양군령%진낙부%협소령%하굉가
(Ga,Mn,As)%GaAs单晶%质量分析的低能离子束%光致发光
(Ga,Mn,As)%GaAs單晶%質量分析的低能離子束%光緻髮光
(Ga,Mn,As)%GaAs단정%질량분석적저능리자속%광치발광
利用低能双离子束外延技术,在400℃条件下生长样品(Ga,Mn,As)/GaAs.样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带.宽发光带的中心位置在1.35eV附近,半宽约0.1eV.在840℃条件下对样品进行退火处理,退火后的谱结构类似退火前,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5065eV和1.4894eV,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加.这一宽发射带的来源还不清楚,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带,生成Mn2As新相,Mn占Ga位或形成GaMnAs合金.
利用低能雙離子束外延技術,在400℃條件下生長樣品(Ga,Mn,As)/GaAs.樣品光緻髮光譜齣現三箇峰,即1.5042eV處的GaAs激子峰、1.4875eV處的弱碳峰和低能側的一寬髮光帶.寬髮光帶的中心位置在1.35eV附近,半寬約0.1eV.在840℃條件下對樣品進行退火處理,退火後的譜結構類似退火前,但激子峰和碳雜質峰的峰位分彆移至1.5065eV和1.4894eV,同時低能側的寬髮光帶的彊度大大增加.這一寬髮射帶的來源還不清楚,原因可能是體內雜質和缺陷形成雜質帶,生成Mn2As新相,Mn佔Ga位或形成GaMnAs閤金.
이용저능쌍리자속외연기술,재400℃조건하생장양품(Ga,Mn,As)/GaAs.양품광치발광보출현삼개봉,즉1.5042eV처적GaAs격자봉、1.4875eV처적약탄봉화저능측적일관발광대.관발광대적중심위치재1.35eV부근,반관약0.1eV.재840℃조건하대양품진행퇴화처리,퇴화후적보결구유사퇴화전,단격자봉화탄잡질봉적봉위분별이지1.5065eV화1.4894eV,동시저능측적관발광대적강도대대증가.저일관발사대적래원환불청초,원인가능시체내잡질화결함형성잡질대,생성Mn2As신상,Mn점Ga위혹형성GaMnAs합금.
